国家知识产权局信息显示，JSW AFTY公司申请一项名为“半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN122892970A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，在低温下制造高质量的N极性氮化镓层。半导体装置的制造方法包括形成N极性氮化镓层的工序。N极性氮化镓层通过使用等离子体进行成膜的装置形成，所述等离子体利用电子回旋共振现象产生。

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作者：情报员