国家知识产权局信息显示,苏州亿麦矽半导体技术有限公司申请一项名为“一种水冷有机基板结构及其制备方法”的专利,公开号CN122892587A,申请日期为2026年6月。
专利摘要显示,本申请实施例提供一种水冷有机基板结构及其制备方法,涉及半导体封装技术领域,该结构包括水冷板、绝缘层和形成于绝缘层上的多层有机再布线结构。其制备方法是在水冷板上形成绝缘层后,采用磁控溅射/化学镀、光刻、电镀、塑封及研磨工艺,循环制作多层高导热的有机再布线层。本发明将芯片底部散热路径从传统的“芯片‑键合基板‑封装基板‑PCB‑水冷板”六级以上结构精简为“芯片‑键合基板‑有机再布线结构‑水冷板”三级结构,移除了PCB等主要热阻环节,并采用高导热有机介电材料,实现了散热效率的数量级提升,同时降低了封装厚度与工艺复杂度。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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