国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种生长氧化镓晶体的直拉液相外延法及其应用”的专利，公开号CN122879815A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明涉及氧化镓晶体技术领域，具体而言，涉及一种生长氧化镓晶体的直拉液相外延法及其应用。提供横截面的最大内切圆直径≥2英寸的大尺寸氧化镓籽晶，并将其固定于籽晶杆下端；将大尺寸氧化镓籽晶下降使其下表面与氧化镓熔体接触并进行直拉液相外延生长，结束后分离得到氧化镓晶体。本发明采用大尺寸氧化镓籽晶，使得直拉液相外延生长过程中无需进行放肩过程，大尺寸氧化镓籽晶尺寸与目标晶体尺寸基本一致，无需扩径生长，彻底规避各向异性导致的放肩缺陷，将放肩缺陷率降至0；同时优化应力结构，大尺寸氧化镓籽晶与外延晶体形成全覆盖、大面积单晶连接，分散晶体自重应力，解决解离面开裂脱落问题；兼顾生长大尺寸与高质量的氧化镓晶体。

天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本190.3645万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息76条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员