国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“将多遍工序用于深度控制来形成金属栅极切口”的专利，公开号CN122892221A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，本公开的发明名称是“将多遍工序用于深度控制来形成金属栅极切口”。本文中提供了形成半导体器件的技术，该半导体器件包括具有不同宽度（例如，至少1.5倍的宽度差）但基本上相同高度（例如，小于5 nm的高度差）的栅极切口。在一个或多个半导体区域之上延伸的给定栅极结构可用任何数量的栅极切口中断，每个栅极切口延伸穿过栅极结构的整个厚度。根据一些实施例，类似的第一宽度的栅极切口经由第一蚀刻工艺形成，而大于第一宽度的类似的第二宽度的栅极切口经由不同于第一蚀刻工艺的第二蚀刻工艺形成。对于不同宽度的栅极切口使用不同的蚀刻工艺为不同宽度的栅极切口保持了类似的高度。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员