国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN122892204A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请提供的半导体器件的制备方法及半导体器件，在导电结构中通过形成凹形隔离层，将导电结构分为第一导电层和第二导电层，第二导电层位于第一导电层上方。将所形成的第一导电层和第二导电层共同作为屏蔽栅，第二导电层作为浮空栅。在第二沟槽内形成第二氧化层，作为屏蔽栅与后续上方形成控制栅之间的栅间介质层；在所述第二氧化层上方形成第三导电层，作为控制栅。此种方法，在未改变屏蔽栅的整体结构尺寸的条件下，在屏蔽栅内部引入浮空栅，增厚了屏蔽栅中的第一导电层与控制栅之间的介质层的厚度。因此，降低栅源电容，减小半导体器件的输入电容，减小器件的开关损耗和导通损耗，从而提升了器件的开启速率。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息400条，此外企业还拥有行政许可28个。

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作者：情报员