国家知识产权局信息显示，恩特格里斯公司申请一项名为“使用烷基铝脒基化物前体进行铝基薄膜的区域选择性沉积”的专利，公开号CN122892972A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，提供使用烷基铝脒基化物前体进行的铝基薄膜的区域选择性沉积和其方法。区域选择性沉积包括在具有第一表面部分和第二表面部分的衬底上沉积烷基铝脒基化物前体，以在所述衬底上形成铝基薄膜，所述第一表面部分包括金属且所述第二表面部分包括非金属。所述铝基薄膜位于所述衬底的所述第二表面部分上，且在所述铝基薄膜位于所述第一表面部分上时，所述第一表面部分上的所述薄膜的平均厚度对所述第二表面部分上的所述薄膜的平均厚度的比率小于1。

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作者：情报员