国家知识产权局信息显示，常州臻晶半导体有限公司申请一项名为“基于顶部籽晶溶液法的金刚石单晶生长方法及生长装置”的专利，公开号CN122879824A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明属于金刚石单晶制备技术领域，具体涉及一种基于顶部籽晶溶液法的金刚石单晶生长方法及生长装置，包括如下步骤：S1，助溶剂配制：按A‑B‑C三元体系配制助溶剂，将配制完成的助溶剂原料和碳源装入生长容器中；S2，升温熔化：密封生长容器，抽真空后充入保护性气体，加热使所述助溶剂原料熔融，恒温使碳源充分溶解，得到碳饱和溶液；S3，籽晶安装与下降接触：将籽晶固定于籽晶托底部，带动籽晶下降至与所述碳饱和溶液接触或浸入所述碳饱和溶液中；S4，等离子体辅助晶体生长：向生长容器通入等离子体气流，旋转生长容器，在籽晶表面进行金刚石结晶生长；S5，降温取晶：待生长结束后，提拉籽晶使晶体脱离液面，缓慢降温后取出得到金刚石单晶。

天眼查资料显示，常州臻晶半导体有限公司，成立于2020年，位于常州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本249.4545万人民币。通过天眼查大数据分析，常州臻晶半导体有限公司参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员