国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司取得一项名为“沟槽型功率半导体器件”的专利，授权公告号CN224844609U，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请涉及功率半导体技术领域，具体提供一种沟槽型功率半导体器件，旨在解决如何在保证功率半导体器件低导通损耗的情况下，提升栅氧反向耐压特性的问题。为此目的，本申请的沟槽型功率半导体器件包括：在外延层内设置与外延层的导电类型不同且包围沟槽栅结构两侧底部拐角的两个拐角子区，且在沟槽栅结构的底部，两个拐角子区之间间隔设置，在栅氧之间施加反向偏压的状态下，两个拐角子区形成的耗尽层在沟槽栅结构的底部连通，该方案相当于增加了沟槽栅结构拐角处和底部的等效栅氧厚度，有利于避免电场在拐角处集中，可实现在不增加栅氧结构实际厚度、保证低导通损耗的情况下，有效提升沟槽栅结构拐角处和底部的栅氧反向耐压特性。

天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1600000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1215次，专利信息197条，此外企业还拥有行政许可115个。

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作者：情报员