国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“改善单面化镀边缘剥落的工艺方法”的专利，公开号CN122879648A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种改善单面化镀边缘剥落的工艺方法，包括：提供基片，基片具有需要形成第一面金属层的第一表面以及需要形成第二面金属层的第二表面。进行单面化镀在基片的第一表面形成第一面金属层。在基片的第二表面沉积第二面金属层，第二面金属层的材料会同时形成于基片的侧面；化镀工艺放置在第二面金属层的形成工艺之前，以防止在基片侧面的第二面金属层的材料上形成第一面金属层的材料，从而防止发生单面化镀边缘剥落。本发明能防止单面化镀膜层边缘剥落并从而防止产生的颗粒污染。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2216条，此外企业还拥有行政许可119个。

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作者：情报员