国家知识产权局信息显示，深圳市国微电子有限公司申请一项名为“读出参考电阻电路及磁阻随机存取存储器”的专利，公开号CN122889023A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请适用于磁阻随机存取存储器技术领域，提供了一种读出参考电阻电路及磁阻随机存取存储器。上述电路包括基准模块和参考模块，基准模块和参考模块均用于与灵敏放大器的第一输入端电连接。基准模块由一个低阻态磁性隧道结与一个高阻态磁性隧道结串联构成；参考模块包含多条独立档位支路，每条档位支路由若干低阻态磁性隧道结、若干高阻态磁性隧道结按不同配比串联后两两并联形成，不同档位支路等效阻值互不相同；基准模块与任意一条档位支路相互并联，输出介于低阻态磁性隧道结与高阻态磁性隧道结之间的等效参考电阻，避免参考电阻超出识别范围而造成读取判决错误，有效提升存储器读出可靠性。

天眼查资料显示，深圳市国微电子有限公司，成立于2008年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市国微电子有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目664次，专利信息336条，此外企业还拥有行政许可15个。

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作者：情报员