国家知识产权局信息显示，四川汉安墨为量子科技有限公司申请一项名为“一种基于电子束辐照损伤制备霍普夫子拓扑磁结构的方法”的专利，公开号CN122892452A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明涉及自旋电子学与纳米磁结构制备技术领域。现有三维拓扑磁结构制备方法依赖特定晶体对称性或复杂生长条件，难以实现局域结构的可控写入与原位观测。本发明公开了一种基于电子束辐照损伤制备霍普夫子拓扑磁结构的方法，将半导体或绝缘体基底制备为薄片样品，利用聚焦电子束在目标区域进行辐照。通过调节束流、辐照时长控制累积电子剂量，诱导局域非晶化与缺陷，引导自旋纹理沿特定空间缠绕方式闭合，从而形成具有预定拓扑荷的霍普夫子结构。本发明将电子束辐照损伤转化为可控的拓扑磁结构写入手段，实现了在同一平台上的原位制备与表征，简化了制备流程，并可对磁结构的位置、形貌进行编程化调控，为拓扑自旋电子器件集成提供了新的技术途径。

天眼查资料显示，四川汉安墨为量子科技有限公司，成立于2026年，位于内江市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本10万人民币。通过天眼查大数据分析，四川汉安墨为量子科技有限公司专利信息2条。

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作者：情报员