国家知识产权局信息显示，深圳市宏祺芯科技有限责任公司申请一项名为“半导体存储结构的字线层间对准方法及半导体存储结构”的专利，公开号CN122892514A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体存储结构的字线层间对准方法及半导体存储结构；其中，该方法包括：在衬底结构的阵列区形成字线接触孔，并同步在衬底结构的标记区形成第一标记槽；在字线接触孔和第一标记槽内沉积导电材料；对第一标记槽内的导电材料进行刻蚀，使得第一标记槽的深度增大；并在标记区形成底层对准标记；在底层对准标记之上形成绝缘介质层，绝缘介质层掩埋底层对准标记，并在第一标记槽处形成表面台阶形貌；基于第一标记槽的表面台阶形貌执行对准光刻工序，以暴露出底层对准标记；基于暴露出的底层对准标记，执行上层字线结构与下层字线结构的字线层间对准。通过本申请，能够降低制造成本并缩短生产周期，提升对准精度。

天眼查资料显示，深圳市宏祺芯科技有限责任公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2297.2981万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市宏祺芯科技有限责任公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目5次，专利信息274条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员