国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司、重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“一种晶圆抛光后的清洗方法及其晶圆”的专利，公开号CN122892487A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供了一种晶圆抛光后的清洗方法及其晶圆，所述清洗方法包括：S1、对晶圆进行氧化处理，在其表面生成氧化膜；S2、采用刻蚀溶液剥除所述氧化膜；以步骤S1和步骤S2为一个循环，重复至少3次；其中，首次循环的剥除时间大于后续任一循环的剥除时间。本发明基于对晶圆进行多段氧化处理和剥膜处理，控制首次剥膜的时间大于后续剥膜的时间，显著提升了晶圆表面颗粒（特别是纳米级颗粒）的去除能力，将清洗后晶圆表面的可检测颗粒数控制在更低水平，从而提高了FP+PPC工艺后的晶圆表面洁净度和良率。

天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息302条，此外企业还拥有行政许可202个。

重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目15次，专利信息207条，此外企业还拥有行政许可17个。

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作者：情报员