国家知识产权局信息显示，浙江常淳科技有限公司申请一项名为“一种兼容CMOS工艺的非线性RRAM、其制备检测系统及方法”的专利，公开号CN122892538A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本发明属于半导体领域，涉及一种兼容CMOS工艺的非线性RRAM、其制备检测系统及方法，该系统包括：制备模块，用于在衬底上依次制备底电极、整流层、阻变层和顶电极，形成具有底电极‑整流层‑阻变层‑顶电极结构的非线性自整流阻变存储器单元；检测模块，通过真空传输通道连接与所述制备模块连接，对器件进行在线电学特性测量，获取实际参数；控制与反馈模块，分别与所述制备模块和所述检测模块电性连接，用于将所述检测模块测得的实际参数与预设目标参数进行比较，并根据比较结果生成调整指令，反馈至所述制备模块以调整制备过程的工艺参数。其有益效果是保障所制备的阻变存储器具有稳定的双向非线性特性，有效抑制Crossbar阵列串扰。

天眼查资料显示，浙江常淳科技有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江常淳科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员