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（来源：半导体前沿）
4F²架构产品预计年底问世，长鑫存储将进一步把新技术导入服务器存储领域，尝试突破既有市场格局。
长鑫存储加速布局服务器存储市场，并将推出新一代DRAM架构。
总裁曹堪宇表示，公司预计年底推出4F²架构的新一代DDR5 RDIMM产品，透过缩小存储器单元面积、提高储存密度，突破现有DRAM制程瓶颈。
曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍，4F²架构的一项关键创新，是用垂直环绕闸极（VSG）电晶体结构，改善闸极控制能力，降低漏电与短通道效应，同时利用垂直配置缩小电晶体占用面积，进一步提高储存密度。
DRAM产业正持续追求更高的储存密度，目前主流架构为6F²，其中F代表制程中的最小特征尺寸。
相较之下，4F²架构可将单一存储器储存单元的面积缩小，有助于在相同面积内配置更多储存单元，提升容量。
从6F²转向4F²，不只是缩小电晶体，更涉及整体制程架构的调整。
早期的4F²设计主要着重于2D电晶体布局，存储器阵列与周边逻辑电路必须共用光刻及掺杂制程条件，限制了效能表现，未能超越6F²架构。
随着6F²架构持续微缩的难度提高，业界开始推动4F²朝3D架构发展，透过将DRAM与CMOS制程分离，并用晶圆级混合键合技术实现高速互连，让逻辑电路效能与存储单元密度得以分别最佳化，降低既有制程限制。
长鑫存储在4F²架构相关技术上的公开专利族已超过300件，数量居业界领先地位。
此次选择DDR5 RDIMM作为4F²架构的首代产品，也反映公司正积极拓展服务器市场。
过去，海外厂商在服务器市场占据优势，长鑫存储偏重消费性电子产品。
服务器存储除了速度之外，还必须满足长时间、不间断运作的需求，技术与工程门槛相对较高。
总经理赵纶9月在业绩说明会上表示，公司上半年持续拓展服务器领域业务，相关产品的营收贡献已经增加。
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