国家知识产权局信息显示，上海新傲科技股份有限公司申请一项名为“用于改善良率的SOI结构的制备方法及SOI结构”的专利，公开号CN122892465A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于改善良率的SOI结构的制备方法及SOI结构。所述用于改善良率的SOI结构的制备方法包括如下步骤：选择一＜111＞晶向的硅片作为顶层硅片，并选择一＜100＞晶向的硅片作为底层硅片；至少于顶层硅片的表面形成第一氧化层；采用离子注入工艺注入氢离子至顶层硅片内，形成剥离层，离子注入工艺中氢离子的注入角度θ的取值范围为0°＜θ≤7°；键合顶层硅片和底层硅片，形成初始键合结构；自剥离层剥离部分的顶层硅片，形成SOI结构。本发明解决了＜111＞晶向顶层晶圆在离子注入过程中的深度宽化效应问题，提高剥离后形成的顶层硅厚度的均匀性。

天眼查资料显示，上海新傲科技股份有限公司，成立于2001年，位于上海市，是一家以从事化学纤维制造业为主的企业。企业注册资本31500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新傲科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目92次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息268条，此外企业还拥有行政许可159个。

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作者：情报员