国家知识产权局信息显示，上海交通大学、鹏创华腾（上海）科技有限公司申请一项名为“基于ICP等离子体处理的光敏聚合物有机介质层制造方法”的专利，公开号CN122892464A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种基于ICP等离子体处理的光敏聚合物有机介质层制造方法，属于半导体制造技术领域。该制造方法，包括：步骤S1.旋涂光刻胶：提供一衬底，所述衬底表面具有黏附层，在黏附层上旋涂具有光敏特性的光刻胶，经软烘去除溶剂；步骤S2.光刻显影；步骤S3.ICP等离子体处理。本发明通过“光敏聚合物材料的光刻图案化+ICP原位转化”的集成工艺，首次实现了利用光敏聚合物直接形成适用于金属互连的有机介质层。该方案避免了固化工艺获得的介质层黏附性差、机械强度弱、工艺复杂的问题，减少了对商用定制化低κ材料的依赖性，通过ICP等离子体处理，在通用的光敏聚合物原材料基础上，即可改善黏附性、机械强度并优化介电常数。

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作者：情报员