国家知识产权局信息显示，SOITEC公司申请一项名为“包括支撑衬底的粗糙暴露部分的异质结构”的专利，公开号CN122910685A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明涉及一种制造用于制造绝缘体上压电POI结构的异质结构的方法，所述方法包括：提供支撑衬底，在支撑衬底上或上方形成压电材料块，去除压电材料块的第一外周部分和支撑衬底的第一外周部分，以获得支撑衬底的具有均方根高度Sq在0.4µm至0.8µm的范围内的粗糙度的暴露部分，在去除压电材料块的第一外周部分之后减薄压电材料块，以获得压电衬底。

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作者：情报员