国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“评估3D闪存特性的平面多晶硅沟道单元及制造方法”的专利，公开号CN122909844A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种评估3D闪存特性的平面多晶硅沟道单元，包括：形成于半导体衬底顶部表面上的第一氧化层以及第二导电类型掺杂的第一多晶硅层。依次穿过第一多晶硅层、第一氧化层和半导体衬底的浅沟槽隔离。在各有源区中，在第一多晶硅层的顶部表面之上形成有栅极结构，栅极结构包括依次叠加的ONO层和多晶硅栅；在栅极结构两侧的第一多晶硅层中形成有源区和漏区，源区和漏区分别和对应的栅极结构的侧面自对准。本发明还公开了一种评估3D闪存特性的平面多晶硅沟道单元的制造方法。本发明能采用STI工艺和普通逻辑工艺实现，故工艺简单且能用于对3D闪存特性的评估。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2224条，此外企业还拥有行政许可119个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目952次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7990条，此外企业还拥有行政许可444个。

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作者：情报员