国家知识产权局信息显示，索泰克公司申请一项名为“用于激光分离的半导体衬底及制造三维结构的方法”的专利，公开号CN122910699A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明涉及一种被配置为允许有源材料层（ActMat）的激光分离的半导体衬底（Sub），包括：支撑衬底（Sprt）；在所述支撑衬底上的无机层（Inorg），其中所述无机层由选自Al2O3、TiO2、WO3、La2O3、LaAlO3和TiN当中的材料形成；在所述无机层上的电绝缘层（Ins）；以及在所述电绝缘层上的所述有源材料层（ActMat），其中所述有源材料层是单晶的。

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作者：情报员