10 月 12 日，复旦大学科研团队发布全球首颗二维 - 硅基混合架构闪存芯片，相关成果刊登在《自然》期刊上，代号 “长缨（CY-01）”。

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这款芯片将自研二维超快闪存器件和成熟硅基 CMOS 工艺融合，解决了二维电子器件很难直接接入传统产线的痛点。此前二维材料芯片大多停留在实验室原型阶段，很难规模化制造。

二维闪存拥有超高读写速度，达到 400 皮秒级别，在 AI 算力、高速存储场景有巨大潜力。这次融合设计，意味着新型存储芯片不用完全重建产线，依托现有晶圆厂就有机会落地量产。

科研团队介绍，项目前后历经五年反复试错，逐个攻克器件集成、工艺匹配等工程难题。二维半导体被看作后摩尔时代重要方向，存储芯片又是算力硬件的核心一环。

很多芯片行业人士认为，这项成果打通二维存储从原型到集成芯片的关键一步。未来随着工艺持续优化，有望缓解 AI 服务器存储带宽不足的行业痛点。