国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN122909877A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，属于半导体技术领域。该半导体器件包括：半导体本体，包括第一区域以及阱区、第二区域和第三区域，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域背离第一表面的一侧，第二区域从第一表面延伸至半导体本体内，第三区域靠近第二区域的底部设置，并与第二区域连接，第三区域的掺杂浓度小于第二区域的掺杂浓度；半导体本体设有从第一表面延伸至半导体本体内的栅极沟槽；绝缘层，位于栅极沟槽的表面；栅极结构，填充于栅极沟槽；源极，位于第一表面；漏极，位于第二表面。本申请能够降低栅极沟槽底部的电场峰值，降低器件被击穿的风险，且降低寄生电容，提升器件的高频特性。

天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本33997.7041万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息296条，此外企业还拥有行政许可14个。

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作者：情报员