国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“用于生长氧化镓晶体的籽晶及其制备方法和应用”的专利，公开号CN122898955A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及氧化镓晶体技术领域，具体而言，涉及一种用于生长氧化镓晶体的籽晶及其制备方法和应用。用于生长氧化镓晶体的籽晶为直径≥2英寸且厚度≥2mm的圆片状；籽晶具有沿其厚度方向相对设置的上端面和下端面；上端面和下端面均为抛光面且无划痕，上端面和下端面Ra≤10nm；上端面和/或下端面的TIR<0.4mm；籽晶的TTV<0.5mm；籽晶的边缘解离为0；籽晶的FWHM≤150弧秒。该籽晶为圆片状，可实现工业化标准圆形衬底加工流程的无缝对接，降低加工复杂性和成本；且籽晶具有大尺寸及高厚度，能确保大尺寸晶体生长的安全性；量化质量指标为籽晶的标准化生产和评价提供客观依据，确保生长晶体的高质量。

天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本190.3645万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息77条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员