国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“改善高深宽比接触孔形貌的方法”的专利，公开号CN122910033A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善高深宽比接触孔形貌的方法，提供一半导体结构，其包括衬底、由下到上堆叠形成于所述衬底上的镍硅化物层、氮化硅层、层间介质层与APF层及贯穿所述APF层形成于所述层间介质层内的沟槽；采用等离子体刻蚀工艺沿着所述沟槽刻蚀所述层间介质层及其下方部分厚度的所述氮化硅层以形成接触孔，且在等离子体刻蚀过程中采用脉冲电场。该改善高深宽比接触孔形貌的方法，能避免形成的高深宽比接触孔具有弓形形貌。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2226条，此外企业还拥有行政许可119个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目379次，专利信息308条，此外企业还拥有行政许可234个。

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作者：情报员