10月14日晚间，武汉天源（301127.SZ）发布公告称，公司董事会审议通过与楚雄高新技术产业开发区管理委员会签署合作协议，拟投资建设“楚雄高新区年产200吨6N/7N级高纯铟及年产100吨磷化铟多晶生产基地项目”，项目计划总投资约5亿元，固定资产投资不低于3亿元。该项目建设工期为12个月，自取得施工许可证之日起计算，由公司新设全资子公司负责投资、建设与运营。

根据公告披露，项目选址于楚雄高新区云甸化工园区，规划用地面积约45亩，分高纯铟生产系统与磷化铟多晶生产系统两部分布置。项目资金来源为公司自筹，其中自有资金约1亿元，银行贷款约4亿元。截至2026年6月30日，公司货币资金余额约7.48亿元，资产负债率为64.84%，若资金按上述结构筹措到位，资产负债率将上升至约66.13%。

磷化铟（InP）是一种化合物半导体材料，在光通信领域是核心芯片材料。作为光芯片的关键衬底，磷化铟承担着电光信号高效转换的关键环节，目前80%以上的需求来自AI数据中心，2025年占光芯片市场58%的份额。磷化铟广泛应用于DFB激光器、EML激光器以及光电探测器，是800G/1.6T乃至下一代3.2T光模块的刚需原料。据Omdia、Yole数据，2026年全球磷化铟衬底需求预计达260万至300万片，而有效合规产能仅约75万片，供需缺口超过70%。

高纯铟作为磷化铟衬底的核心原料，其供给能力同样面临瓶颈。制造磷化铟衬底需要纯度达到6N至7N级别的高纯铟，而回收的再生铟提纯至半导体级别难度较大，因此磷化铟衬底原料供给更多依靠原生铟。中国以近70%的产量占据全球精炼铟供给的绝对主导地位，高纯铟供给占比更高。市场数据显示，高纯铟价格从2023年约2500元/千克攀升至2026年8月的约5300元/千克，三年近乎翻倍。中泰证券研报认为，2028年后随着磷化铟需求占比提升，铟供需缺口将进一步拉大，高纯铟环节更显紧缺。

武汉天源此次投资是其从环保主业向半导体材料领域延伸的又一动作。公司主业聚焦环境治理与绿色能源两大领域，是一家综合性环保能源企业。2025年5月，公司由“天源环保”更名为“天源集团”，确立了“环保+能源”双主业发展布局。2026年8月，公司完成对中讯半导体（江苏）有限公司的收购，取得其60%控股权，收购价款750万元，并后续配套投入约6700余万元。中讯半导体主营磷化铟等化合物半导体衬底材料的研发、生产与销售，拥有有效专利29项，已具备单晶磷化铟等光电子半导体材料2至4英寸的生产技术条件。

值得关注的是，公司在公告中亦坦诚披露了相关风险。公告指出，磷化铟多晶制备、高纯铟提纯工艺技术门槛高，在工艺稳定、良率控制、规模化量产方面仍存在技术验证风险，当前公司暂无该项业务的自有技术和人员储备，暂不具备独立开展相关业务的技术基础，后续计划引进专业技术人才以补齐技术与人才短板。此外，公司高纯铟及磷化铟多晶的生产业务尚处于发展初期，目前尚无在手订单，尚未形成稳定、可持续的收入及盈利来源，短期内不会对公司经营业绩构成重大影响。

公司还提示，上游原料以粗铟为源头，粗铟系有色金属冶炼过程中伴生回收的矿产资源，其供给量与上游冶炼主金属产量高度联动，原料来源存在一定的结构性依赖。

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从行业格局来看，磷化铟衬底供给市场呈现寡头垄断特征，全球90%以上的高端磷化铟产能集中在日本住友电工等少数企业手中，国产替代空间显著。全球龙头正密集扩产，Coherent已启动基于全球首个量产6英寸磷化铟晶圆厂的扩建，JX金属计划到2030财年将产能提升7至10倍。武汉天源此次布局能否在技术验证、产能爬坡和市场竞争中取得预期成效，仍有待时间检验。

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