国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“制造互连结构的方法”的专利，公开号CN122910702A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，描述了作为微电子元件制造工艺的部分的制造互连结构的方法。所述方法包括在基板上形成介电层，所述介电层包括界定具有侧壁及底部的间隙的至少一个特征。所述方法进一步包括：通过将所述基板暴露于阻挡物质来在所述底部上形成阻挡层，所述阻挡物质包含烃及至少一种添加剂；在所述侧壁上选择性地沉积阻障层；在所述侧壁上的所述阻障层上选择性地沉积金属衬垫；移除所述阻挡层；以及执行间隙填充工艺以利用间隙填充材料填充所述间隙。

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作者：情报员