据财联社，埃隆·马斯克旗下航天公司SpaceX参与推进的芯片项目Terafab正在快速建设，以准备早日开始芯片设计与制造。该项目可能在明年年中迎来首台阿斯麦EUV光刻设备。

Terafab选址美国得克萨斯州格莱姆斯县，规划为集逻辑芯片、存储器芯片制造与先进封装于一体的超大型工厂，项目初期投资168亿美元，远期预计年产1TW算力。

研究机构SemiAnalysis此前预测，Terafab研发工厂的主体结构要到2027年底才能完工，设备则要到当年晚些时候才开始安装。因此，这台传闻中的EUV光刻设备可能将闲置一段时间。

眼下获得一台阿斯麦Twinscan NXE EUV光刻机十分困难，在正式投用前将其存放数月，堪称代价高昂的闲置期；但对Terafab而言，这可能不像传统芯片制造商那样构成重大的财务问题。

SemiAnalysis预计，Terafab建筑将在15个月内竣工，特斯拉还需六个月安装设备与生产工具。此后特斯拉即可开始加工晶圆，即开展芯片生产试验，为量产晶圆厂一期工程完工做准备。

马斯克曾暗示，Terafab计划应用一种新的极紫外光生成方法，使用自由电子激光器（FEL）代替阿斯麦的激光等离子体光源。

不过，激光等离子体光源技术仅约0.1%的输入电能可转化为极紫外输出，且工艺会产生碎片与污染物，因而抬高维护需求。FEL EUV技术仍处于研发阶段，尚没有成熟的供应商。

提前购入阿斯麦光刻设备，也意味着该项目第一代产品仍将依赖更为传统的设备；Terafab计划采用英特尔的14A制造技术，而14A不仅会使用现有的低数值孔径EUV扫描仪，还会采用下一代高数值孔径EUV设备。

而使用非常规且未经充分测试光源的光刻系统，将需要对制造工艺作出重大修改、开展广泛的设备认证，并可能需更改光掩模与光刻胶，这会使英特尔14A技术的转移变得复杂，并延迟Terafab的量产爬坡。

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本文源自：市场资讯

作者：知叙