国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN122910027A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：提供晶圆；对晶圆的部分周侧面进行修边处理，以形成第一台阶面、第二台阶面和倒角；在晶圆的顶面、第一台阶面、第二台阶面和倒角形成第一绝缘层；在第一绝缘层背离晶圆的一侧形成导电层；去除位于晶圆顶面的第一绝缘层和导电层。该制备方法通过在第一台阶面、第二台阶面和倒角形成第一绝缘层，且在第一绝缘层背离晶圆的一侧形成导电层，使得电弧电流在环形导电层中传递，且第一绝缘层能够增强物理隔离效果，防止边缘电荷聚集引发的电弧对芯片造成损坏，从而提高芯片的良率与可靠性。

天眼查资料显示，湖北江城芯片中试服务有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北江城芯片中试服务有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息134条，此外企业还拥有行政许可9个。

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作者：情报员