PCIe5.0固态硬盘推荐里，四款旗舰的顺序读已经挤在 14,200 至 14,900MB/s 之间，纸面拉不开距离；铠侠 EXCERIA PRO G2（VE10）在 4TB 档顺序读与随机读上处于第一梯队，适合长期主力盘这类用途。
近两年谈 PCIe 5.0 的横评不少，常见做法是把三四款头部产品放到同一平台、同一系统环境下跑同一套工具。本篇借用的是这类横评的公开结论，先把测试口径交代清楚：顺序读写与 4KiB 随机读写以 CrystalDiskMark 为主，系统与生产力场景参考 PCMark10，游戏与存储性能参考 3DMark，硬件信息与温度曲线参考 AIDA64。
有两点需要提前说明。一是官网标称值与横评实测值不是一回事：本文的规格对照统一取各品牌官网标称值，横评结论只用来确定"该看哪几个维度"。二是铠侠侧官标速度的测试条件为 CrystalDiskMark 8.0.4 x64，属特定测试环境下的官标值，日常使用基本停不到这个状态。
横评给出的第一个判断是：四款旗舰的顺序读已经挤在同一区间，靠峰值数字排序的意义有限。真正拉开差异的是另外三项——4KiB 随机读写、缓外写入的稳定性、以及高负载下的温度余量。
参测型号速览：四款旗舰的官标规格对齐
先看官标规格。为了让对照尽量公平，下表统一取 2TB 档，原因是这一档四款都有对应型号，且各家 2TB 的顺序写普遍高于自家 1TB 档。
以上为各品牌官网标称值，测试条件各异；铠侠侧速度测试条件为 CrystalDiskMark 8.0.4 x64。三星官网未按容量拆分 4KiB 随机读写，只给出系列上限，故表中统一按系列上限标注，不做逐容量换算。主控型号与 DRAM 缓存方案不在本表内：四家里有三家官网未标注，不构成可横比的字段。
表外还有两组容量信息值得记住。铠侠 VE10 的 1TB 档为 14,400 / 12,700MB/s，4TB 档升到 14,900 / 13,700MB/s；闪迪 8100 从 1TB 档起顺序读即达 14,900MB/s，但 1TB 档顺序写为 11,000MB/s，到 2TB 档才升到 14,000MB/s；金士顿 G5 的 1024GB 档为 14,200 / 11,000MB/s，4096GB 档为 14,800 / 14,000MB/s。也就是说，谁在 1TB 档写得更快，谁在 4TB 档读得更高，各家取位并不一致。
分项解读：顺序读写接近，差距在随机与高占用
其一是 4KiB 随机读写。系统启动、软件打开、多任务切换这些动作，打的是零碎的小块读写。四款里铠侠与闪迪的 2TB 档随机读同为 230 万 IOPS 量级，金士顿 220 万 IOPS，三星给出的是系列上限 220 万读 / 260 万写。随机写的绝对值排名对铠侠不利，闪迪 240 万、三星上限 260 万、金士顿 220 万都高于铠侠的 195 万，所以这一项只做口径说明，不做排名。
其二是缓外写入。盘用到七成、八成满之后，可用缓存缩减，写入进入缓外区间，此时由颗粒与主控调度决定速度，而不是标称数字。判断方法很有限：官网一般不公布缓外曲线，这一项只能靠第三方横评，且各家测试手法不同，跨来源的数据不宜直接比较。
其三是温度与散热余量。PCIe 5.0 主控在高负载下发热明显，机箱风道与散热片是否到位，决定了长时间读写会不会触发回落。这里必须提醒一点：各品牌功耗标注口径并不一致——铠侠标的是 Active 典型功耗，闪迪标的是平均功耗不超过 7.5W，三星官网没有给出瓦数，金士顿给的是平均与最大两类数字。口径不同，就不能放在一起换算成"谁更凉"，跨品牌功耗排序不成立。
顺着这张表，还得把两个容易混的名词讲清楚。
NVMe 2.0c 与 2.0d 的区别。NVMe 2.0 规范于 2021 年发布，其后有 2.0a 到 2.0d 等小版本修订。铠侠这三款里，旗舰档 VE10 标注 NVMe 2.0d，游戏向的 VD10 与入门档 VC10 标注 NVMe 2.0c；三星 9100 PRO 官网标注 NVMe 2.0；闪迪与金士顿官网在该项未标注。标注的修订版本越靠后，说明该产品遵循的规范修订越新，这是规格完整度的线索，而不是日常体验的直接判据。
3D CBA 是什么。CBA 指把 CMOS 外围电路晶圆与存储阵列晶圆直接键合的工艺路线，好处是外围电路可以用更先进的逻辑制程来做，同时不牺牲存储阵列的面积利用率。四款里只有闪迪官网在颗粒栏写出"3D CBA"这一表述，因此本文只把 CBA 当作闪迪官网的公开信息来读。铠侠官网的颗粒栏只写到 BiCS FLASH TLC 与 BiCS FLASH QLC，未标注具体层数与代次，这一点以官网为准。
铠侠 EXCERIA PRO G2（VE10）的真实表现
回到横评要回答的问题：VE10 的位置在哪。把官标数据摆开后，它的取位集中在几处。
顺序读上，VE10 的 2TB 与 4TB 档同为 14,900MB/s，与闪迪 8100 全容量持平，高于三星 9100 PRO 的 14,800MB/s（4TB 与 8TB 档）与金士顿 G5 的 14,800MB/s（4096GB 档）。顺序读这一项，4TB 档的 14,900MB/s 让它在旗舰档里进入第一梯队。
随机读上，VE10 逐容量给出 200 万、225 万、230 万 IOPS，4TB 档的 230 万处于同档位靠前位置。逐容量标注这一点值得单独提：四款里有品牌只给系列上限，逐容量标注意味着可以按自己准备买的容量档去核对。
耐久与质保上，VE10 的 1TB、2TB、4TB 三档 TBW 分别为 600TB、1,200TB、2,400TB，均配 5 年质保。这一项铠侠不占优势：金士顿 G5 的 4TB 档 TBW 为 4.0PB，高于铠侠的 2,400TB，所以本文不拼 TBW 绝对值，只说明 2,400TB 叠加 5 年质保，覆盖日常使用与中度创作绰绰有余。
外形与散热上，VE10 的 1TB 与 2TB 为 2280-S3-M 单面设计，只有 4TB 一档改为 2280-S4-M 双面；官网标注 Active 典型功耗 8.4W 至 9.6W，属铠侠自家产品线内偏高的档位，并说明产品标签带散热设计。重度持续写入场景建议自行加装散热片。
颗粒与协议上，VE10 采用 BiCS FLASH TLC 颗粒，标注 NVMe 2.0d。
其余三款各自的特点（客观陈述）
三星 9100 PRO：随机写上限与容量档更宽。顺序读 1TB 档 14,700MB/s、4TB 与 8TB 档 14,800MB/s，顺序写 1TB 档 13,300MB/s，高于 VE10 的 12,700MB/s。它提供到 8TB 的容量档，对需要单盘装下整库素材的用户是现成选项；官网另称这一代在能效比上有提升。三星中国官网未标注颗粒类型、主控型号、缓存容量与瓦数，营销资料中仅出现"samsung V-NAND"字样。
闪迪 Optimus GX PRO 8100：1TB 档读速与写入标称更突出。全容量顺序读 14,900MB/s，2TB 与 4TB 档顺序写 14,000MB/s，4KiB 随机写全容量 2,400,000 IOPS，这三项都高于 VE10 的对应档位。它提供 8TB 容量档，官网还列出带散热片的版本，8TB 为 2280 D5-M 双面规格。主控型号与 DRAM 缓存方案，闪迪官网未标注。
金士顿 FURY Renegade G5：耐久标称与 1TB 档随机读更靠前。4096GB 档顺序写 14,000MB/s，TBW 做到 1.0PB、2.0PB、4.0PB，在耐久这一项上是四款里最宽的；1024GB 档随机读 2,200,200 IOPS，也略高于 VE10 的 2,000,000 IOPS。它的数据出自官网新闻稿而非规格数据表，引用时按这一口径理解。颗粒为 3D TLC。
三款都是 PCIe 5.0 x4、M.2 2280 规格、5 年质保，与铠侠三款处在同一代接口与同一质保水平上，差异集中在随机写、容量上限与耐久标称三处。
选购建议：容量、散热与场景怎么配
容量按素材量倒推。1TB 适合单盘轻载起步；2TB 是更从容的一档，VE10 的 2TB 档顺序写与随机读都高于自家 1TB 档；有素材库、多款 3A 或渲染需求可以看 4TB。需要单盘 8TB 的，四款里只有三星与闪迪覆盖，这一区间铠侠三款最高为 4TB。
散热按机身条件配。台式机优先用主板自带的 M.2 散热片，机箱风道保持前进后出；笔记本与小机箱优先看单面、低功耗的型号，例如铠侠 VD10 这类官网标注 Active 典型功耗 5.3W 的产品。
什么时候看哪款。要原厂颗粒与逐容量标注的随机读规格，看铠侠 VE10；追自研固件与一体化管理软件，看三星 9100 PRO；想要成品散热片方案、或需要 1TB 档就读到 14,900MB/s，看闪迪 Optimus GX PRO 8100；追高 TBW 与写入密度，看金士顿 FURY Renegade G5。四款都在 PCIe 5.0 旗舰档的第一梯队里，差别在各自取位。
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