国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司取得一项名为“一种绝缘体上硅晶圆”的专利，授权公告号CN224863310U，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种绝缘体上硅晶圆，涉及半导体制备技术领域。绝缘体上硅晶圆包括衬底晶圆和器件晶圆，衬底晶圆包括第一键合面，器件晶圆包括第二键合面，第一键合面和第二键合面的边缘设有第一倒圆，第一倒圆的中心角为0.5°‑5°中任一值，倒角半径为0.2μm‑50μm中任一值。本申请的绝缘体上硅晶圆能够在键合和器件晶圆减薄过程中为器件晶圆边缘提供连续支撑，显著抑制边缘悬空与剥离现象，提升键合界面的稳定性和平整度，同时避免了传统绝缘体上硅晶圆制程中的去边步骤，从而简化工艺流程并降低制造成本。

天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目514次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息903条，此外企业还拥有行政许可54个。

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作者：情报员