国家知识产权局信息显示，南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓基半导体图形结构及其制备方法、光电器件”的专利，公开号CN122935139A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓基半导体图形结构及其制备方法、光电器件，制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有氮化镓基半导体层；形成覆盖氮化镓基半导体层的整个上表面的保护层；在保护层的上表面形成图形化的掩膜层；刻蚀保护层露出氮化镓基半导体层；刻蚀露出的氮化镓基半导体层；去除掩膜层，保留保护层，完成氮化镓基半导体图形结构的制备；其中，保护层与掩膜层的化学组分不同；保护层被配置为在后续工艺中形成分布式布拉格反射镜的层。通过引入保护层在整个制备过程中充当物理屏障，有效隔离化学试剂与高能等离子体，避免氮化镓基半导体遭受工艺损伤风险。且保留的保护层直接作为分布式布拉格反射镜的层，缩短了制造周期，降低了生产成本。

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作者：情报员