国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“用于原位蚀刻和沉积材料的方法和系统”的专利，公开号CN122935142A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，提供了用于在衬底的表面上形成材料的方法。该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底，衬底包括第二材料；将第一材料层保形地沉积到衬底上；选择性地蚀刻第一材料的至少一部分；以及保形地沉积第一材料的第二层。沉积第一材料的步骤和选择性地蚀刻第一材料的步骤在同一反应室中进行。

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作者：情报员