国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“包含等离子体诱导损坏保护装置的半导体集成电路器件”的专利，公开号CN122934888A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开涉及包含等离子体诱导损坏保护装置的半导体集成电路器件。一种用于释放等离子体感应电荷的半导体集成电路器件，包括保护晶体管、第一放电元件和第二放电元件。保护晶体管连接到第一布线结构。栅极电压和等离子体感应电荷中的至少一个被提供给保护晶体管。第一放电元件连接到与第一布线结构电连接的第二布线结构。第一放电元件释放通过第二布线结构被引入的等离子体感应负电荷。当等离子体感应正电荷经由电连接到第二布线结构的第三布线结构而被引入到第二放电元件中时，第二放电元件释放等离子体感应正电荷。当通过第三布线结构施加栅极电压时，第二放电元件与第三布线结构电隔离。

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作者：情报员