国家知识产权局信息显示，中冶武汉冶金建筑研究院有限公司、中国一冶集团有限公司申请一项名为“一种碳包覆碳化硅增强的碳素捣打料及其制备方法”的专利，公开号CN122916691A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明属于碳素捣打料技术领域，公开了一种碳包覆碳化硅增强的碳素捣打料及其制备方法。本发明碳素捣打料包括以下质量百分比含量的原料：高功率石墨颗粒40~50%、鳞片石墨10~20%、SiC@C球形颗粒5~10%、石墨粉27~35%、碳化硼1~2%，并外加上述原料总质量10~15%的木质素改性酚醛树脂。本发明主要通过引入SiC@C球形颗粒，同时复配碳化硼等原料，使碳素捣打料具有高强度、高导热性能、良好的界面结合及抗渣侵蚀性和体积稳定性，施工后表面平整性良好，可有效改善与应用部位之间的界面结合，及时、高效地传导碳砖热量，从而延长高炉的服役寿命。

天眼查资料显示，中冶武汉冶金建筑研究院有限公司，成立于2001年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，中冶武汉冶金建筑研究院有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1096次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息291条，此外企业还拥有行政许可9个。

中国一冶集团有限公司，成立于1990年，位于武汉市，是一家以从事有色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本241772.739016万人民币。通过天眼查大数据分析，中国一冶集团有限公司共对外投资了133家企业，参与招投标项目65238次，财产线索方面有商标信息182条，专利信息6940条，此外企业还拥有行政许可932个。

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作者：情报员