国家知识产权局信息显示，广州卓光科技有限公司申请一项名为“一种高纯度氧化镓半导体材料的制备方法”的专利，公开号CN122918694A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高纯度氧化镓半导体材料的制备方法，本发明涉及半导体材料制备技术领域，该方法采用由多块相互绝缘的水冷铜瓣拼合而成的无底冷坩埚，配合高频感应线圈直接耦合氧化镓粉体自身产热，依靠自身形成的固态冷凝壳将熔体与坩埚金属壁完全隔离，避免外源金属杂质掺入，在放肩及等径生长阶段，根据固液界面中心与边缘温度差反馈，分区独立调节环绕布置的红外辐射补偿阵列功率，并协同调节Ar/O2保护气体对流速率，将陡峭温度梯度转化为微凸平滑的柔性等温面，抑制大尺寸晶体生长过程中的热应力集中，本发明所得氧化镓单晶无外源深能级杂质掺入、应力低、尺寸大，适用于大功率电力电子器件、日盲紫外探测器领域。

天眼查资料显示，广州卓光科技有限公司，成立于2020年，位于广州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，广州卓光科技有限公司共对外投资了2家企业，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可17个。

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作者：情报员