国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“堆叠结构的刻蚀方法、形成方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN122935140A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请提供了一种堆叠结构的刻蚀方法、形成方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。该方法包括提供堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的多层牺牲层和多层功能层，功能层和牺牲层为不同的材料膜层，牺牲层的材料包括目标元素，堆叠结构在垂直方向上被划分为第一区域及位于第一区域上的第二区域，第二区域中的牺牲层的层数大于或等于1且小于牺牲层的总层数的30%，第一区域中的任意两个牺牲层中的目标元素的浓度差小于预定阈值，第二区域中的牺牲层中的目标元素的浓度大于第一区域中的牺牲层中的目标元素的浓度；沿堆叠结构的侧壁横向刻蚀牺牲层。通过提高第二区域的牺牲层的目标元素的浓度，补偿堆叠结构的顶部的刻蚀速率，提高刻蚀均匀性。

天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目1538次，财产线索方面有商标信息74条，专利信息5978条，此外企业还拥有行政许可338个。

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作者：情报员