国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“半导体工艺中的含氟等离子体处理”的专利，公开号CN122934879A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本公开大体上涉及用于形成半导体装置的半导体加工中的含氟等离子体处理。在实例中，半导体装置包含半导体衬底(502)、位于所述半导体衬底(502)上方的栅极介电层(520)和位于所述栅极介电层(520)上方的栅极电极(602)。所述栅极介电层(520)包含包括氟的氮化氧化硅。所述栅极电极(602)包含接近所述栅极介电层(520)的近侧部分，且所述栅极电极(602)的所述近侧部分不包含氟。

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作者：情报员