针对第六代骁龙8至尊处理器过热降频、限制性能，甚至重演当年Intel“缩缸”的说法，高通方面予以了否认。
今年9月夏威夷骁龙技术峰会上，第六代骁龙8超级至尊版正式发布。
区别于往年，高通今年首次打造了双旗舰，同时推出两款型号——第六代骁龙8至尊版（Snapdragon 8 Elite Gen6）、第六代骁龙8超级至尊版（Snapdragon 8 Elite Extreme Gen6），编号分别为SM8950、SM8975。
二则均采用台积电N2 2nm级制程，且最高主频都达到了史无前例的5GHz。
在封装工艺上，两款型号有所不同。第六代骁龙8至尊版则依然是传统的PoP堆叠封装，内存置于SoC之上。
第六代骁龙8超级至尊版则采用了全新的“Offset PoP偏移式堆叠封装”，既不是垂直堆放，也不是水平并排，而是将SoC中发热量最大的CPU、GPU部分做物理偏移，不再被内存覆盖，而是可以直接接触上方的均热板、石墨烯等散热材料。
近日有网络传闻称，部分搭载该芯片的手机在高负载下会出现死机、黑屏等异常，外界猜测这可能与架构设计或全新2nm制程的缺陷有关。对此高通官方出面否认，称产品不存在任何质量问题。
据韩国媒体报道，原计划用于Galaxy S27Ultra的高通骁龙8 Elite Extreme Gen6芯片在近期内部测试中出现性能下降。该芯片温度多次超过阈值，且在持续高负载下处理速度出现下滑。三星已要求高通在本月中旬前解决散热问题。若问题未能修复，也有消息称，三星可能首次自Galaxy S22 Ultra以来在其旗舰机型中采用自家Exynos处理器。
高通首席营销官唐・麦奎尔（Don McGuire）在社交平台X发文回应相关质疑，他表示骁龙8 Elite Gen 6不存在系统性过热问题，OEM厂商会在产品上市后持续优化调整，在性能与功耗之间针对各类使用场景找到最佳平衡，双方会和共同合作，为用户提供最佳体验。”
目前高通的口径倾向于，相关异常只是产品上市初期、各家厂商调校尚未完善导致的偶发个案，并非芯片本身存在硬件缺陷或普遍性故障。
不过，麦奎尔的回应也引发了部分网友的质疑，因为他只说到了骁龙8 Elite Gen 6，而没有提骁龙8 Elite Extreme Gen6到底有没有问题。
骁龙 8 Elite Gen 6系列今年采用了相当激进的功耗策略，最高标称主频可达 5GHz，但其架构仍为Oryon。自2024年的骁龙8 Elite起，该系列已经连续三代沿用同款核心架构，性能提升主要依靠制程升级和主频拉高实现。
由于此前Intel第 13、14 代酷睿处理器的 “缩缸” 事件仍历历在目，起因正是在同款架构下强行拉高主频，最终导致功耗失控、持续性能大幅缩水，因此不少用户和网友都将高通此次的情况与之对标类比。
但其实二者有本质区别。Intel那次是物理损伤导致不可逆性能退化，骁龙这边更像是调校过激进，外加温控没调好，目前看属于可修复的调度问题，不是硬件设计缺陷。
不过目前搭载骁龙 8 Elite Gen 6系列的手机仅在国内市场上市，包括小米18系列、红魔 12 Pro系列等。国际市场的核心客户三星预计要到2027年才会推出相关机型，整体市场样本量还非常有限。
究竟只是偶发个案，还是高通的一面之词，仍有待后续观察。
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