在2026年10月12日至15日举行的OCP全球峰会上，英特尔展示了面向下一代系统架构的硅基光子学技术愿景，重点介绍了300mm硅基平台上的磷化铟（InP）集成、集成激光器及高带宽互连等关键技术。 英特尔希望借此推动硅基光子学在高性能计算（HPC）与人工智能（AI）基础设施中的应用。
英特尔数据中心系统与解决方案部门企业副总裁 Nic Dubé 在会上将硅基光子学称为下一代系统架构的“黄金锤”。他指出，业界关于将硅基光子学发展为下一代互连标准技术的讨论已经持续了一段时间，英特尔正与团队及生态伙伴加紧推进，争取在未来几年内推动相关技术落地。
随着AI模型规模持续扩大，数据中心互连在传输距离、封装边缘带宽密度以及每比特能耗等方面面临越来越大的压力。传统电互连，尤其是高速、长距离电信号传输链路，正受到信号损耗、功耗和布线密度等因素的制约。硅基光子学通过利用光信号传输数据，有望在提升带宽密度、延伸互连距离和降低能耗等方面提供新的解决方案，但具体收益仍取决于系统架构、封装设计及实际应用场景。
据英特尔介绍，公司是目前唯一能够大规模提供基于300mm硅晶圆的InP硅基光子技术的晶圆制造商，能够面向整个行业提供量产级的相关晶圆制造能力。这里的InP-on-Silicon并不意味着整片晶圆均由磷化铟制成，而是指将磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料与硅基光子平台相结合，以利用两类材料各自的优势。 英特尔表示，这项制造能力将为高性能计算与AI领域下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）方案提供关键技术基础。
除了晶圆制造能力外，英特尔还拥有支持硅基光子器件与激光器集成的相关工艺和工具。通过将激光器及相关光源组件集成到硅基光子平台，设计人员能够减少对独立外部光源的依赖，并有望简化光互连系统的设计与维护。 英特尔在其现有硅基光子产品中已采用晶圆级集成激光器技术。不过，集成光源的长期可靠性及维护需求仍取决于具体器件设计、封装方式和系统运行条件，不能简单理解为完全无需维护。
与此同时，英特尔也在推动外部光源相关的生态合作与社区标准建设，以支持多波长外部光源方案，并推动相关供应链在美国本土制造体系中的发展。 这意味着，英特尔的技术路线并非只依赖片上集成激光器，也在为不同系统设计所需的外部光源方案保留兼容空间。
在系统架构方面，英特尔表示，其硅基光子学方案的目标不只是提升互连带宽，还包括支持更先进的互连拓扑，以及在运行时对不同计算与存储资源进行更灵活的编排。随着AI工作负载不断增长，这类技术有望帮助系统在CPU、GPU与内存池之间更高效地调度资源，从而改善大规模AI基础设施的扩展能力。不过，这些能力的实现还需要处理器、内存、网络、封装和系统软件等多个层面的协同支持。
在能效方面，英特尔预计，采用硅基光子学的相关系统有望将每比特能耗降至5皮焦耳（pJ/bit）以下。 这一目标反映出光子互连在高带宽、低能耗数据传输方面的潜力。需要注意的是，该数字属于英特尔对相关光子系统的预期指标，不能直接视为所有硅基光子产品已经达到的实测水平，也不宜在缺乏统一测试口径的情况下与其他厂商的数据直接比较。
英特尔认为，硅基光子学有望推动新一代数据中心系统架构的发展，在机架、Pod（计算集群单元）乃至整套系统层面提供更高的互连带宽、更灵活的资源配置能力和更优的能效表现。对于不断扩大的AI集群而言，光互连的价值不仅在于提高单条链路的传输能力，还在于帮助系统突破电互连在功耗、距离与布线密度方面的部分限制。
英特尔表示，将继续与生态伙伴合作，推动硅基光子学及相关互连方案的研发、标准化和产业化进程，重点面向HPC与AI等对互连带宽、能效和系统扩展能力要求较高的应用领域。
总体来看，英特尔正试图通过300mm硅基光子制造、集成激光器与低功耗光互连技术，推动下一代AI数据中心架构升级。随着算力规模持续扩大，光互连有望突破传统电互连的部分瓶颈，但其大规模应用仍取决于制造成本、封装集成与产业链协同。
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