2026年10月18日消息，据韩国媒体《首尔经济日报》报道，三星电子已决定在英伟达下一代的定制型高带宽内存（HBM）——NVHBM的生产中，允许英伟达将其核心组件“基底芯片”（Base Die）交由长期竞争对手台积电的3nm制程代工。这将是三星首次在HBM的制造阶段与台积电展开合作。
英伟达的“标准化”铁腕
此次三星与英伟达合作变局的根源，在于英伟达对供应链一致性的极致追求。今年8月，英伟达公开了基于HBM4E（第七代HBM）架构的定制产品NVHBM。与标准HBM不同，NVHBM将英伟达自家的内存控制器直接集成在基底芯片中，旨在让不同供应商的产品在英伟达的GPU平台上实现无缝、一致的性能表现。
然而，三星、SK海力士与美光三家存储原厂过往在基底芯片的制程与设计上各有一套。若任由供应商自行其是，英伟达将不得不对每一家的产品分别进行繁琐的兼容性与性能验证，这在AI算力争分夺秒的当下是不可接受的效率损耗。因此，英伟达向三家供应商下达了硬性要求：NVHBM的基底芯片必须统一采用台积电3nm工艺，核心芯片则统一锁定第六代DRAM（1c）制程。
对于三星而言，这一要求直接冲击了其DS（设备解决方案）部门引以为傲的垂直整合优势。此前，三星供应给英伟达的标准HBM4及正在验证的HBM4E，其基底芯片均采用三星自家4nm工艺代工，核心芯片也出自三星华城与平泽的1c DRAM产线。但在NVHBM项目上，三星经过内部权衡，最终选择了接受英伟达的条件，以保住其在英伟达高利润AI供应链中的入场券。
妥协中的算计：守住标准品，留好后手
尽管在NVHBM上做出了让步，三星并未全盘放弃其代工利益。报道明确指出，三星的“交钥匙”策略在标准HBM产品上依然固若金汤。对于AMD等其他客户的定制HBM需求，三星同样计划继续维持从核心芯片到基底芯片全部自产的模式。
更值得玩味的是，三星在同意采用台积电3nm的同时，并未完全关上自家代工的大门。据业界人士透露，三星正在内部验证其自有晶圆代工产线生产NVHBM基底芯片的可行性。此举被解读为一种产能备胎策略：一旦NVHBM的市场需求远超出台积电的3nm产能上限，三星随时准备以自家产线补位。
小结：
从行业格局来看，三星与台积电在HBM制造环节的联手，实则是英伟达凭借其买方垄断地位强行撮合的结果。对于台积电而言，这不仅是一笔额外的先进制程订单，更意味着其技术标准被进一步嵌入到HBM的底层架构中，巩固了其在AI芯片制造生态中的核心枢纽地位。
而对于三星，尽管在单一定制产品上放弃了基底芯片的内制，但换来的是与英伟达下一代AI平台深度绑定的机会。在HBM4E标准品竞赛中，三星虽已率先量产并向客户送样，但面对SK海力士在HBM3/3E时代建立的稳固份额，确保在英伟达定制线中不被边缘化才是当下的首要任务。
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编辑：芯智讯-浪客剑
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