国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“IGBT场终止层的形成方法”的专利，公开号CN122934841A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请公开了一种IGBT场终止层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底的正面形成有IGBT器件的正面结构，对衬底进行预设制备工序，预设制备工序包括背面减薄工序；在减薄后的衬底背面进行第一次倾斜离子注入，离子注入的角度为θ，单次注入剂量为d；在离子注入完成后，将衬底沿第一方向旋转β角度；重复执行上述离子注入及旋转步骤N次，使衬底被旋转的总角度为360º，且注入总剂量满足D=(N+1)×d。本申请有利于改善场终止层的掺杂均匀性，避免IDSS失效问题。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2241条，此外企业还拥有行政许可119个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员