国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“一种浮栅型存储单元结构及其制备方法”的专利，公开号CN122934803A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请涉及一种浮栅型存储单元结构及其制造方法。该存储单元包括半导体衬底、栅氧化层、浮栅多晶硅层、栅间介质层和控制栅多晶硅层，由控制栅同时承担字线选通功能，浮栅两侧形成有侧墙氧化层，控制栅顶部设有硬掩模层。制造方法依次包括薄膜堆叠生长、控制栅图形化刻蚀、侧墙形成与浮栅刻蚀、字线多晶硅沉积与研磨、高选择比完全刻蚀去除字线五个主要步骤。本申请通过去除独立字线结构，显著缩减了存储单元面积、提升了存储密度，同时降低了操作电压，外围电路无需高压器件；整个工艺仅增加一步刻蚀工序，与常规逻辑工艺完全兼容，工艺改造成本低、量产风险小，可广泛应用于各类嵌入式非易失性存储器中。

天眼查资料显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本398282.0957万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司参与招投标项目77次，专利信息170条，此外企业还拥有行政许可26个。

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作者：情报员