国家知识产权局信息显示，富采光电股份有限公司申请一项名为“半导体元件”的专利，公开号CN122934996A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体元件，其包括：多个彼此通过沟槽分隔的半导体单元；一绝缘构件，位于沟槽中及多个半导体单元之上；一连接电极，位于绝缘构件上并跨越沟槽，电连接多个半导体单元；以及一空穴，位于沟槽中并由绝缘构件所界定；其中，沟槽具有宽度W，自多个半导体单元其中之一的顶表面至沟槽底部的垂直距离为L，且L/W大于或等于1.5。

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作者：情报员