国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN122934848A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的形成方法，先形成底部栅极，然后形成第一保护层，第一保护层覆盖底部栅极并延伸覆盖凹槽的内壁以及欧姆接触层的顶面和侧面；在第一保护层上形成图形化的第二光刻胶层，图形化的第二光刻胶层暴露出底部栅极上方的部分第一保护层；以图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀暴露出的第一保护层，以暴露底部栅极的顶面；形成顶部栅极，顶部栅极位于底部栅极上并与底部栅极电性连接；剥离图形化的第二光刻胶层。由于底部栅极和顶部栅极分为两步形成，底部栅极的形貌较为规则，不易剥落，提高了工艺窗口，并通过形成第一保护层来保护底部栅极以及凹槽，可以避免后续制程损伤凹槽，并避免损伤底部栅极与沟道层之间的肖特基接触。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目863次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息183条，此外企业还拥有行政许可104个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员