国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122934852A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成具有第一导电类型的第一半导体层；在第一半导体层中形成第一沟槽；在第一沟槽中进行第一选择性外延填充，在第一沟槽底部外延生长得到具有第二导电类型的第一填充层，第一填充层填充第一沟槽的一部分；在第一沟槽中进行第二选择性外延填充，在第一沟槽中外延生长得到具有第二导电类型的第二填充层，第二填充层与第一填充层填充第一沟槽的至少部分，第一选择性外延填充在第一沟槽侧壁的生长速率小于第二选择性外延填充在第一沟槽侧壁的生长速率。根据该制造方法，能够缓解填充沟槽时的提前封口问题。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本223464.5597万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目663次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息1862条，此外企业还拥有行政许可36个。

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作者：情报员