国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种改善栅极高度差的方法及半导体器件”的专利，公开号CN122934883A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，公开了一种改善栅极高度差的方法及半导体器件，本发明通过在NMOS区域上选择性保留光刻胶层，在PMOS区域上暴露第一刻蚀保护层，然后刻蚀位于PMOS区域上的第一刻蚀保护层和NMOS区域上的光刻胶层和第一刻蚀保护层，直至暴露出栅极结构的顶部以及PMOS区域上的栅极结构侧壁以外的半导体衬底，以使得刻蚀后的所述栅极结构的高度相同，从而不需要再执行其他操作弥补该高度差，实现后续工艺的简化。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本223464.5597万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目663次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息1862条，此外企业还拥有行政许可36个。

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作者：情报员