国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“多根连拉单晶硅生长控制方法及系统”的专利，公开号CN122918697A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种多根连拉单晶硅生长控制方法及系统，属于单晶硅棒拉制技术领域。该方法根据熔体杂质积累特性动态分配每一根单晶棒的等径长度，并依据分配长度确定二次补投料量，使后一次补投料后的熔体质量始终小于前一次。具体包括：设定计划连拉总根数和标准长度，根据热场结构确定理论最大总拉制长度；对每根晶棒长度进行“前长后短”的非均匀性分配；根据分配长度确定补投料量；控制补投料后熔体质量不超过上一根晶棒补投料后的熔体质量，使后一根晶棒初始液面高度始终不高于前一根。本发明通过长度非均匀分配与液面高度递降控制的协同作用，有效减少坩埚壁面杂质冲刷引入，降低连续拉制过程中的NG率，提升单晶硅棒拉制收率与整棒率。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息430条，此外企业还拥有行政许可27个。

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作者：情报员