国家知识产权局信息显示，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、测试方法”的专利，公开号CN122952931A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法、测试方法，其中，形成方法包括：提供衬底，衬底包括若干测试区和位于相邻测试区之间的连接区，衬底包括相对的第一表面和第二表面；在测试区形成贯穿于衬底的互连通孔；向互连通孔内填充导电材料形成金属插塞；沿第一表面向连接区进行第一离子注入处理，形成第一掺杂区；形成第一焊盘，第一焊盘与第一掺杂区一侧的金属插塞电连接；形成第二焊盘，第二焊盘与第一掺杂区电连接。通过在金属插塞上形成第一焊盘，在第一掺杂区上形成第二焊盘，后续能够通过连接第一焊盘和第二焊盘，测试金属插塞与衬底之间是否存在漏电情况，且可根据测试结果对金属插塞进行优化，提高金属插塞的可靠性，进而提高半导体的性能。

天眼查资料显示，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司，成立于2013年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本480000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司参与招投标项目59次，专利信息162条，此外企业还拥有行政许可453个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息231条，专利信息15105条，此外企业还拥有行政许可486个。

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作者：情报员