国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种改善多晶硅刻蚀负载效应的工艺集成方法”的专利，公开号CN122952874A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种改善多晶硅刻蚀负载效应的工艺集成方法。该方法包括：在待刻蚀层上形成定义出功能图形和位于图形稀疏区域的牺牲图形的第一掩膜图形，以减小图形密度差异；刻蚀待刻蚀层，同步形成功能元件和牺牲元件；形成覆盖功能元件并暴露牺牲元件的第二掩膜层；以第二掩膜层为掩膜，采用各向同性且对牺牲元件具有高选择比的刻蚀工艺，去除牺牲元件。本发明通过引入牺牲图形有效改善了刻蚀均匀性和元件形貌精度，同时利用保护掩膜与选择性各向同性刻蚀相结合的方式，实现了牺牲图形的无损、干净去除，工艺集成度高，与标准半导体工艺兼容，可显著提升器件的电学性能与可靠性。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2241条，此外企业还拥有行政许可119个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目952次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息8010条，此外企业还拥有行政许可444个。

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作者：情报员