国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“嵌入式闪存器件及其制备方法”的专利，公开号CN122952599A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本申请提供一种嵌入式闪存器件及其制备方法，所述嵌入式闪存器件制备方法中，半导体衬底包括存储区和逻辑区，半导体衬底上形成有栅极堆叠结构和多晶硅层，栅极堆叠结构形成于存储区上，存储区与逻辑区交界处的多晶硅层具有台阶形貌，先执行第一光刻工艺形成第一掩膜层，存储区上的第一掩膜层上具有第一开口，然后执行第一刻蚀工艺刻蚀存储区的多晶硅层，再执行第二光刻工艺形成第二掩膜层，第二掩膜层填充第一开口，逻辑区上的第二掩膜层上具有第二开口，然后执行第二刻蚀工艺刻蚀逻辑区的多晶硅层，减少多晶硅层的台阶形貌对刻蚀工艺的影响，有利于提高产品良率。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目1016次，专利信息432条，此外企业还拥有行政许可17个。

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作者：情报员